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资料

型号: BSZ15DC02KDHXTMA1

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TSDSON-8

品类: MOS管

描述:
双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V

2101

5-24

￥4.5765

25-49

￥4.2375

50-99

￥4.0002

100-499

￥3.8985

500-2499

￥3.8307

2500-4999

￥3.7460

5000-9999

￥3.7121

≥10000

￥3.6612

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型号: BSZ165N04NS G

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TSDSON-8

品类: MOS管

描述:
INFINEON BSZ165N04NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V

8257

5-24

￥3.6315

25-49

￥3.3625

50-99

￥3.1742

100-499

￥3.0935

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￥3.0397

2500-4999

￥2.9725

5000-9999

￥2.9456

≥10000

￥2.9052

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型号: BSZ086P03NS3G

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TSDSON-8

品类: MOS管

描述:
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

5777

5-24

￥2.2680

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￥2.1000

50-99

￥1.9824

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￥1.9320

500-2499

￥1.8984

2500-4999

￥1.8564

5000-9999

￥1.8396

≥10000

￥1.8144

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型号: BSZ105N04NS G

品牌: Infineon (英飞凌)

封装:
PG-TSDSON-8

品类: MOS管

描述:
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

5045

5-24

￥3.0915

25-49

￥2.8625

50-99

￥2.7022

100-499

￥2.6335

500-2499

￥2.5877

2500-4999

￥2.5305

5000-9999

￥2.5076

≥10000

￥2.4732

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